高精度デバイスプロセス技術と新規イメージセンサ開発

研究キーワード：
イメージセンサ、CMOSデバイス、半導体プロセス、計測・評価、製造技術

研究シーズの特徴・独自性

クリーンルーム・ユーティリティのレベルから、材料、装置、プロセス、デバイス、回路、実装、信号処理、計測・評価、信頼性に至るまでの研究に総合的に取り組みつつ、それらを基盤として、イメージセンサの極限性能の追及を行っています。今までに、100万個を超えるトランジスタ性能の高精度高速計測技術（2004年）、明暗差5ケタの単露光撮影を可能とした広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ（2008年）、毎秒1000万コマの撮影が行える高速CMOSイメージセンサ（2012年）などの実用化に成功しています。

産学連携の可能性

デバイスメーカの量産ラインと相互乗り入れ可能な清浄度を有する200mmウェーハのシリコンデバイス流動が行えます。また、現有するクリーンルーム施設設備を利用した要素プロセス検討、高度な各種分析評価が行えます。新規イメージセンサの開発に取り組むことができます。